エッチング方法及びエッチング装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：村上智司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-217072
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035929
出願日： 2005年07月27日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】処理チャンバ内のガスを効率的に入れ換えることで、エッチング速度を速くしたり、マスク選択比を高くしたり、高精度なエッチング形状を得ることができるエッチング方法などを提供する。【解決手段】処理チャンバ内の基台上にシリコン基板を載置した後、処理チャンバ内のガスを排気して内部を減圧した状態で、処理チャンバ内にエッチングガスを供給してプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、シリコン基板をエッチングするエッチング工程Eと、処理チャンバ内のガスを排気して内部を減圧した状態で、処理チャンバ内に保護膜形成ガスを供給してプラズマ化し、シリコン基板に保護膜を形成する保護膜形成工程Dとを交互に繰り返す。各工程E,Dが終了する所定時間前(符号EeやDeで示す時間帯)になると、エッチングガス又は保護膜形成ガスの供給を停止するとともに、処理チャンバ内から排気する排気流量をそれ以前よりも多くする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

処理チャンバ内の基台上に載置されたシリコン基板をエッチングする方法であって、前記処理チャンバ内のガスを排気して内部を減圧した状態で、前記処理チャンバ内にエッチングガスを供給し、該エッチングガスをプラズマ化するとともに、前記基台にバイアス電位を与えて前記シリコン基板をエッチングするエッチング工程と、前記処理チャンバ内のガスを排気して内部を減圧した状態で、前記処理チャンバ内に保護膜形成ガスを供給し、該保護膜形成ガスをプラズマ化して前記シリコン基板に保護膜を形成する保護膜形成工程とを交互に繰り返して実行するように構成されたエッチング方法において、前記各工程終了の予め設定された時間前になると、前記エッチングガス又は保護膜形成ガスの供給を停止するとともに、該設定時間経過後、該工程の終了に至るまで、前記処理チャンバ内から排気する排気流量を、該設定時間経過前の排気流量よりも多くするようにしたことを特徴とするエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 105Z

Fターム (12件)：

5F004BC02 , 5F004CA01 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA00 , 5F004DA18 , 5F004DB01 , 5F004EA13 , 5F004EA28 , 5F004EA37 , 5F004EB04 , 5F004EB05

引用特許：

出願人引用 (1件)

特表平7-503815号公報

審査官引用 (8件)

半導体基盤の表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-206673 出願人：サーフィステクノロジーシステムズリミテッド
時分割多重方式(TDM)エッチング・プロセスにおけるプロセス制御のための方法および装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-510086 出願人：ウナクシスユーエスエイインコーポレイテッド
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-025816 出願人：株式会社東芝

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