特許
J-GLOBAL ID：200903004451198034

半導体装置の製造方法およびウエハ構造体

発明者：
東 和幸

東 和幸 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266264
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078005
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 ウエハ外周部でのLow-k膜の保護を確実に行うとともに、ウエハ上のチップの有効面積を向上させる。【解決手段】 多層配線構造の半導体装置の製造において、ウエハ上にk<3の第1のLow-k膜を形成し、第1のLow-k膜のエッジをウエハの円周に沿った第1のエッジカット位置でカットする。次に、第1のLow-k膜よりもガス透過率の低い第1保護膜で、ウエハおよび第1のLow-k膜を覆う。次に、第1保護膜のエッジを、第1のエッジカット位置より外側の第2のエッジカット位置でカットする。最後に、第1保護膜上に第2のLow-k膜を形成し、第2のLow-k膜のエッジを前記第1のエッジカット位置でカットする。保護膜の第2エッジカット位置は、第1のLow-k膜上に配線パターンを形成する際の露光工程におけるレジストのエッジカット位置に一致する。
請求項（抜粋）：
ウエハ上に、第1の低誘電率膜を、そのエッジが、ウエハ円周に沿った第1エッジ位置に一致するように形成するステップと、前記第1の低誘電率膜よりもガス透過率の低い第1保護膜を、そのエッジが、前記第1エッジ位置より外側の第2エッジ位置と一致するように、前記第1の低誘電率膜およびウエハ上に形成するステップと、前記第1保護膜上に、第2の低誘電率膜を、そのエッジが前記第1エッジ位置にほぼ一致するように形成するステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312
FI (5件)：
H01L 21/312 N ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 V ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/30 577
Fターム (42件)：
5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT00 ,  5F033TT01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24 ,  5F033XX25 ,  5F033XX33 ,  5F046AA20 ,  5F046AA26 ,  5F046BA07 ,  5F046DA30 ,  5F046JA15 ,  5F046LA02 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07
引用特許：
審査官引用 (9件)
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