半導体処理装置の窒化ホウ素又はイットリア複合材料の構成部品及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：大塚康徳 , 高柳司郎 , 大塚康弘 , 木村秀二 , 松丸秀和
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-554295
公開番号（公開出願番号）：特表2004-523649
出願日： 2001年11月23日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有表面を有するプラズマチャンバ等の半導体処理装置の耐食性の構成部品及びその製造処理。

請求項（抜粋）：

半導体処理装置の構成部品の表面を被覆する処理であって、 (a)半導体処理装置の構成部品の表面上に第1の中間被膜を随意的に成膜する工程と、 (b)前記第1の中間層上に又は前記表面上に第2の中間被膜を随意的に成膜する工程と、 (c)耐食性の外面を形成するために前記構成部品上に窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする被覆処理。

IPC (4件)：

C23C30/00 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065

FI (4件)：

C23C30/00 C , C23C16/44 B , H01L21/205 , H01L21/302 101G

Fターム (27件)：

4K030BA39 , 4K030BA42 , 4K030FA10 , 4K044AA01 , 4K044AA13 , 4K044AA16 , 4K044BA01 , 4K044BA11 , 4K044BA18 , 4K044BA21 , 4K044BB01 , 4K044BB02 , 4K044BC02 , 4K044CA11 , 4K044CA13 , 4K044CA14 , 4K044CA41 , 5F004AA13 , 5F004AA16 , 5F004BB29 , 5F045AA08 , 5F045BB14 , 5F045EB03 , 5F045EC05 , 5F045EF05 , 5F045EF11 , 5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体・液晶製造装置用部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-371726 出願人：京セラ株式会社
プラズマリアクタ用ボロンカーバイド部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-334916 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-140800 出願人：株式会社日立製作所

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