特許
J-GLOBAL ID：200903004574231982
電界放出型冷陰極の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
永井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-003472
公開番号（公開出願番号）：特開2007-188662
出願日： 2006年01月11日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：
【課題】低電圧で均一な電子放出を可能とする電界放出型冷陰極の製造方法を提供する。【解決手段】電極表面の凹凸形状にかみ合わせ可能な、可逆的接着性を有する可撓性基板を、配向性カーボンナノチューブ膜の転写工程に用いることにより、電界放出型冷陰極を製造する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
電極基板表面に配向性カーボンナノチューブ膜をパターン状に形成する電界放出型冷陰極の製造方法であって、
(a)基礎基板表面上に配向性カーボンナノチューブ膜を作製する工程と、
(b)電極基板表面に絶縁層とゲート層とを逐次パターン状に積層する工程と、
(c)前記工程(b)で得られた電極基板の表面の凹凸形状にかみ合わせ可能な、可逆的接着性表面を有する可撓性基板の表面の凸部と、前記工程(a)で作製された配向性カーボンナノチューブ膜の表面とを接着後、可撓性基板表面の凸部と接着した配向性カーボンナノチューブ膜を残して基礎基板を剥離することにより、配向性カーボンナノチューブ膜を可撓性基板側に転写する工程と、
(d)前記工程(b)で得られた電極基板の表面の凹部に導電性バインダーをパターン形成する工程と、
(e)可撓性基板に転写された配向性カーボンナノチューブ膜の表面とパターン形成された導電性バインダーの表面とを接着後、導電性バインダーと接着した配向性カーボンナノチューブ膜を残して可撓性基板を剥離することにより、配向性カーボンナノチューブ膜を電極基板側に転写する工程とを含む、電界放出型冷陰極の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (25件)：
5C127AA01
, 5C127AA20
, 5C127BA15
, 5C127BB02
, 5C127BB05
, 5C127BB07
, 5C127CC02
, 5C127DD02
, 5C127DD07
, 5C127DD08
, 5C127DD18
, 5C127DD20
, 5C127DD23
, 5C127DD28
, 5C127DD52
, 5C127DD59
, 5C127DD68
, 5C127EE04
, 5C127EE06
, 5C135AA09
, 5C135AA15
, 5C135AB07
, 5C135GG20
, 5C135HH04
, 5C135HH06
