特許
J-GLOBAL ID：200903066325511083
電界放出型冷陰極の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
永井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-046142
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281388
出願日： 2004年02月23日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】配向性のあるカーボンナノチューブ膜のパターン形成を行うことができるとともに、低電圧で均一な電子放出を可能とする、電界放出型冷陰極の製造方法の提供。【解決手段】電極基板表面に配向性カーボンナノチューブ膜をパターン状に形成させる電界放出型冷陰極の製造方法において、基礎基板表面上に配向性のあるカーボンナノチューブ膜を作製する工程と、電極基板表面に導電性バインダーをパターン形成させる工程と、該配向性カーボンナノチューブ膜の表面と該導電性バインダーの表面とを接着後、該導電性バインダーと接着した配向性カーボンナノチューブ膜部分を残して該基礎基板を剥離して配向性カーボンナノチューブ膜を転写する工程を含む、電界放出型冷陰極の製造方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
電極基板表面に配向性カーボンナノチューブ膜をパターン状に形成させる電界放出型冷陰極の製造方法において、
基礎基板表面上に配向性のあるカーボンナノチューブ膜を作製する工程と、
電極基板表面に導電性バインダーをパターン形成させる工程と、
該配向性カーボンナノチューブ膜の表面と該導電性バインダーの表面とを接着後、該導電性バインダーと接着した配向性カーボンナノチューブ膜部分を残して該基礎基板を剥離して配向性カーボンナノチューブ膜を転写する工程を含む、
電界放出型冷陰極の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5C127AA01
, 5C127BA15
, 5C127BB07
, 5C127CC03
, 5C127DD02
, 5C127DD07
, 5C127DD23
, 5C127DD62
, 5C127DD63
, 5C127EE04
, 5C127EE06
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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