特許
J-GLOBAL ID：200903004678033473
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-058414
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260913
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 微細で高アスペクト比の接続孔により、低抵抗で信頼性の高い層間接続を達成する。【解決手段】 被処理基板を加熱しつつ、高密度かつ低イオンエネルギの希ガスイオンを照射する。水素活性種の照射を用いてもよい。【効果】 接続孔7底部の自然酸化膜8が低ダメージで除去されるとともに、吸着水分も効果的に除去される。したがって、後工程のメタライゼーション工程において、アウトガスの影響がなく、高純度かつ密着性の高い上層導電層9が形成される。
請求項（抜粋）：
被処理基板上の導電層上に形成された層間絶縁膜に、前記導電層に臨む接続孔を開口する工程、前記接続孔底部に露出した前記導電層表面の自然酸化膜を除去する工程、少なくとも前記接続孔内に、上層導電層を形成する工程を具備する半導体装置の製造方法であって、前記自然酸化膜の除去工程は、前記被処理基板を加熱するとともに、前記被処理基板に基板バイアス電位を印加しつつ、希ガスイオンを照射する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 A
, H01L 21/302 N
