特許

J-GLOBAL ID：200903004680553638

アッシング方法及びその装置

発明者： 田原 滋 ,  西村 栄一 ,  山崎 久美子
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 田中 正男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-074592
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235660
出願日： 2007年03月22日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】フォトレジストを除去するアッシング工程において、レジスト残渣を低減し、アッシング時間を短縮することのできる簡便かつ実用的な手段を提供する。【解決手段】真空処理容器内においてパターンニングされたレジスト膜をマスクとして用いて低誘電率膜の一部をプラズマエッチングした後に、前記真空処理容器内において、前記レジスト膜を除去する、被処理基板のアッシング方法において、前記アッシングに先立って、前記被処理基板を80°Cから200°Cまでの温度範囲内で保持し、所定時間アッシングする前処理アッシングを行う。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

真空処理容器内においてパターンニングされたレジスト膜をマスクとして用いて低誘電率膜の一部をプラズマエッチングした後に、前記真空処理容器内において、前記レジスト膜を除去する、被処理基板のアッシング方法において、 前記アッシングに先立って、前記被処理基板を80°Cから200°Cまでの温度範囲内で保持し、所定時間アッシングする前処理アッシングを行うことを特徴とするアッシング方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/302 104H ,  H01L21/302 301Z

Fターム (14件)：

5F004AA09 ,  5F004BA03 ,  5F004BB26 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004CB02 ,  5F004CB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB26 ,  5F004FA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭63-260030号公報
  
• 気相加工方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-100805   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (5件)

• アッシング方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-236556   出願人：沖電気工業株式会社
• アッシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-272980   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-262187   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• レジスト除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-252362   出願人：ローム株式会社
• レジスト・アッシング方法およびこれに用いるアッシング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-313356   出願人：ソニー株式会社