荷電ビーム露光装置、荷電ビーム露光方法、レイアウトパターンの作成装置、レイアウトパターンの作成方法、半導体装置の製造方法、及び、アパーチャ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-048520
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252159
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】アパーチャ上のキャラクタ数の低減とビームの照射回数の低減が可能なレイアウトパターンの作成方法を提供する。【解決手段】システム仕様を論理式で記述し、セルライブラリ記録部からセルを選択し、論理式から前記セルによるネットリストを生成する。次に、セルキャラクタ変換ライブラリ記録部を用いて、セルによるネットリストを、機能キャラクタとバッファキャラクタによるネットリストに変換する。最後に、バッファキャラクタライブラリ記録部と機能キャラクタライブラリ記録部を参照し、機能キャラクタとバッファキャラクタによるネットリストに対応して、機能キャラクタとバッファキャラクタの配置と、機能キャラクタとバッファキャラクタ間の配線を行なう。

請求項（抜粋）：

荷電ビームの発生源と、第1の開口を有する第1の平板と、前記第1の平板と並行して配置され、第2の開口を有する第2の平板と、前記第1の平板と並行して配置され、デバイス設計の際に用いられるセルを構成する機能キャラクタの形状の第3の開口と、バッファキャラクタの形状の第4の開口を有する第3の平板と、前記第1の開口を通過した前記ビームを前記第2の開口に照射可能な第1の偏向器と、前記第2の開口を通過した前記ビームを前記第3と第4の開口に照射可能な第2の偏向器と、前記第3又は第4の開口を通過した前記ビームを試料上の任意の位置に照射可能な第3の偏向器とを有することを特徴とする荷電ビーム露光装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16 , G03F 7/20 504

FI (6件)：

G03F 1/16 B , G03F 1/16 E , G03F 7/20 504 , H01L 21/30 541 S , H01L 21/30 541 J , H01L 21/30 541 M

Fターム (14件)：

2H095BA08 , 2H095BB01 , 2H095BB10 , 2H095BB36 , 2H097BA10 , 2H097CA16 , 2H097EA01 , 2H097GB01 , 2H097LA10 , 5F056AA06 , 5F056CA05 , 5F056CA11 , 5F056EA04 , 5F056EA06

引用特許：

審査官引用 (8件)

電子線描画方法および電子線描画装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-196648 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-100208
特開平4-100208

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