特許
J-GLOBAL ID：200903004937038438
T字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小林 茂
, 和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-223941
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042779
出願日： 2005年08月02日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】優れた高周波特性と高い歩留まりとを有するT字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】基板であるGaN系半導体基板1上に、ナイトライド系半導体層であるAlGaN層2が形成され、AlGaN層2上に表面保護膜であるアニール保護膜4が形成され、アニール保護膜4の一部にAlGaN層2に達する開口部が形成され、該開口部を通してAlGaN層2に接するT字型ゲート電極であるゲート電極6が自己整合的に形成されていることを特徴とするT字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタを構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、ナイトライド系半導体層が形成され、該ナイトライド系半導体層上に表面保護膜が形成され、該表面保護膜の一部に該ナイトライド系半導体層に達する開口部が形成され、該開口部を通して該ナイトライド系半導体層に接するT字型ゲート電極が自己整合的に形成されていることを特徴とするT字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102FA00
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GL02
, 5F102GL03
, 5F102GL04
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102GS04
, 5F102GV08
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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