半導体装置とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-019361
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115500
出願日： 2002年01月29日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】歩留まり良く製造することのできる、微細ゲートを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、電流を流すための一対の電流取り出し領域を有する半導体基板Sと、前記半導体基板S上に形成され、ゲート電極G用開口部を有する絶縁膜Dと、前記ゲート電極G用開口部で前記半導体基板S上に形成され、前記半導体基板S上で電流方向の寸法を制限し、上に向うに従って前記電流方向の寸法が単調に増大するテーパ形状を有する基部と、前記基部の上に形成され電流方向の寸法がステップ状に拡大した傘部とを有し、前記基部が前記ゲート電極G用開口部で前記半導体基板Sに接すると共に、電流方向の両端部の少なくとも一方で前記絶縁膜D上に乗り上げた構造を有するマッシュルーム型ゲート電極構造とを有する。

請求項（抜粋）：

電流を流すための一対の電流取り出し領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、ゲート電極用開口部を有する絶縁膜と、前記ゲート電極用開口部で前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板上で電流方向の寸法を制限し、上に向うに従って前記電流方向の寸法が単調に増大する順テーパ形状を有する基部と、前記基部の上に形成され電流方向の寸法がステップ状に拡大した傘部とを有し、前記基部が前記ゲート電極用開口部で前記半導体基板に接すると共に、電流方向の両端部の少なくとも一方で前記絶縁膜上に乗り上げた構造を有するマッシュルーム型ゲート電極構造と、を有する半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/338 , H01L 21/027 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/43 , H01L 29/78 , H01L 29/812 , H01L 29/872

FI (8件)：

H01L 21/28 G , H01L 29/80 F , H01L 29/78 301 G , H01L 29/48 H , H01L 29/50 J , H01L 29/62 G , H01L 21/30 573 , H01L 21/30 570

Fターム (60件)：

4M104AA05 , 4M104BB10 , 4M104BB14 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104FF07 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 5F046KA10 , 5F046LA18 , 5F046NA06 , 5F046NA17 , 5F046NA18 , 5F102GA01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GL04 , 5F102GM06 , 5F102GN05 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS02 , 5F102GS04 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC10 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC19 , 5F102HC23 , 5F102HC29 , 5F140AA01 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140AB09 , 5F140BA07 , 5F140BA16 , 5F140BC19 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BE09 , 5F140BF07 , 5F140BF15 , 5F140BF21 , 5F140BF25 , 5F140BF42 , 5F140BF43 , 5F140BG37 , 5F140CC08 , 5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (17件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-209964 出願人：日本電気株式会社
電界効果トランジスタの製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-200005 出願人：ローム株式会社
特開平4-167439

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