特許
J-GLOBAL ID：200903004954793258

窒化物半導体装置

発明者：
金子 信男

金子 信男 について

, 
町田 修

町田 修 について

, 
岩上 信一

岩上 信一 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-080093
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244001
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】ゲート漏れ電流が小さいHEMT等の窒化物半導体装置が要求されている。【解決手段】本発明に従うHEMTは、電子走行層4と、この上に配置された電子供給層5と、ソース電極6と、ドレイン電極7と、電子供給層5にショットキー接触しているゲート電極8と、ゲートフィールドプレート12と、第1及び第2の絶縁膜9,10とを有している。第1の絶縁膜9は圧縮応力を生じるシリコン酸化物から成り、電子供給層5の上に配置されている。第2の絶縁膜10は圧縮応力を生じるシリコン酸化物から成り、ゲート電極8とゲートフィールドプレート12と第1の絶縁膜9との上に配置されている。第1及び第2の絶縁膜9,10は圧縮応力を生じるので、ゲート電極8のショットキー障壁が高くなる。これによりゲート漏れ電流が小さくなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体から成る少なくとも1つの半導体層を含んでいる主半導体領域と、 前記主半導体領域の一方の主面上にショットキー接触している第1の電極と、 前記主半導体領域の一方の主面上に前記第1の電極から離間して配置され且つ前記主半導体領域の一方の主面上にオーミック接触している第2の電極と、 前記主半導体領域の一方の主面における前記第1の電極と前記第2の電極との間の少なくとも一部上に配置され且つシリコン酸化物で形成されている第1の絶縁膜と、 少なくとも前記第1の電極の上に配置され且つシリコン酸化物で形成されている第2の絶縁膜と を備えていることを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (23件)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV03 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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