特許
J-GLOBAL ID：200903005352877171

強誘電体薄膜素子、圧電アクチュエーター、液体吐出ヘッド

発明者：
伊福 俊博

伊福 俊博 について

, 
松田 堅義

松田 堅義 について

, 
福井 哲朗

福井 哲朗 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-032068
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260994
出願日： 2004年02月09日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】自発分極の大きな、薄膜化に適した、特性の劣化のない強誘電体薄膜素子ならびにこれを用いた圧電アクチュエータおよび液体吐出ヘッドを提供する。【解決手段】基板と該基板上に設けられたエピタキシャル強誘電体薄膜とを備えた強誘電体薄膜素子において、エピタキシャル強誘電体薄膜の結晶面のうち、基板表面の結晶面に平行な結晶面をZ結晶面、Z結晶面の面間隔をzとし、エピタキシャル強誘電体薄膜の構成材料のバルク状態でのZ結晶面の間隔をz0としたとき、z / z0 > 1.003であり、 Z結晶面に垂直なエピタキシャル強誘電体薄膜の結晶面の一つの結晶面をX結晶面、X結晶面の面間隔をxとし、エピタキシャル強誘電体薄膜の構成材料のバルク状態でのX結晶面の面間隔をx0としたとき、0.997 ≦ x / x0 ≦ 1.003であることを特徴とする強誘電体薄膜素子。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と該基板上に設けられたエピタキシャル強誘電体薄膜とを備えた強誘電体薄膜素子において、 前記エピタキシャル強誘電体薄膜が、 該エピタキシャル強誘電体薄膜の結晶面のうち、前記基板表面の結晶面に平行な結晶面をZ結晶面、該Z結晶面の面間隔をzとし、前記エピタキシャル強誘電体薄膜の構成材料のバルク状態でのZ結晶面の間隔をz0としたとき、z / z0 > 1.003であり、 前記Z結晶面に垂直な前記エピタキシャル強誘電体薄膜の結晶面の一つの結晶面をX結晶面、該X結晶面の面間隔をxとし、前記エピタキシャル強誘電体薄膜の構成材料のバルク状態でのX結晶面の面間隔をx0としたとき、0.997 ≦ x / x0 ≦ 1.003であることを特徴とする強誘電体薄膜素子。
IPC (8件)：
H02N2/00 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16 ,  H01L27/105 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18
FI (8件)：
H02N2/00 B ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 J ,  H01L41/08 D ,  H01L41/18 101Z ,  B41J3/04 103H ,  B41J3/04 103A
Fターム (19件)：
2C057AF65 ,  2C057AF93 ,  2C057AG12 ,  2C057AG42 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057BA03 ,  2C057BA14 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083HA08 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA44 ,  5F083PR25
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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