特許
J-GLOBAL ID:200903005396710100
レーザ装置及びその製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
矢作 和行
, 野々部 泰平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-062463
公開番号(公開出願番号):特開2008-227104
出願日: 2007年03月12日
公開日(公表日): 2008年09月25日
要約:
【課題】活性層で生じた熱を効率よく放熱することのできるレーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】活性層を含む積層体が半導体基板の一面に配置され、積層体上に形成された絶縁膜の貫通部を介して、第1電極が積層体と接触されている。第1電極は、金属材料からなり、貫通部を介して露出される積層体の露出部位の一部と接触された第1電極膜と、第1電極膜よりも熱伝導率の高い金属材料からなり、積層体の露出部位のうちの第1電極膜とは異なる部位及び第1電極膜と接触され、積層体からの高さが第1電極膜の高さ以上とされた第2電極膜と、第1電極膜よりも熱伝導率が高く、第2電極膜よりも展性、延性に優れた金属材料からなる第3電極膜を含んでいる。そして、第3電極膜は、貫通部を含む絶縁膜上に積層された状態で、第2電極膜と接触されつつ絶縁膜側の面の裏面が平坦とされており、該裏面にヒートシンクが直接接合されている。【選択図】図3
請求項(抜粋):
半導体基板と、
前記半導体基板の一面に、活性層を含む半導体層が多層に積層配置されてなる積層体と、
前記積層体の半導体基板配置面の裏面に積層され、前記半導体層の積層方向に貫通する貫通部を有する絶縁膜と、
前記貫通部を介して前記積層体と接触された電極と、を備えるレーザ装置であって、
前記電極は、金属材料からなり、前記貫通部を介して前記絶縁膜から露出される前記積層体の露出部位の一部と接触された第1電極膜と、前記第1電極膜よりも熱伝導率の高い金属材料からなり、前記第1電極膜及び前記積層体の露出部位のうちの前記第1電極膜とは異なる部位と接触され、前記積層体からの高さが前記第1電極膜の高さ以上とされた第2電極膜を有することを特徴とするレーザ装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (18件):
5F173AA16
, 5F173AH03
, 5F173AK04
, 5F173AK08
, 5F173AK13
, 5F173AK20
, 5F173AK21
, 5F173AP71
, 5F173AP73
, 5F173AP79
, 5F173AR72
, 5F173MC12
, 5F173MD05
, 5F173MD07
, 5F173MD51
, 5F173MD63
, 5F173MD81
, 5F173MD85
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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