特許
J-GLOBAL ID：200903005483149368

アミン化合物、化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
渡辺 武

渡辺 武 について

, 
畠山 潤

畠山 潤 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-299558
公開番号（公開出願番号）：特開2007-108451
出願日： 2005年10月14日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】高い解像性と良好なパターン形状を与え、電子線や遠紫外線を用いた微細加工に有用であり、ポジ型及びネガ型のKrFレジスト、ArFレジスト、F2レジスト、EUVレジスト、EBレジスト、X線レジストにおいて高い配合効果を与え、超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。また、通常の露光法の他、液浸露光にも好適であるレジスト材料の提供。【解決手段】フッ素化アルキル基を有するアミン化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
フッ素化アルキル基を有するアミン化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。
IPC (7件)：
G03F 7/039 ,  C07D 295/08 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027 ,  C07D 295/14 ,  C07D 295/12
FI (7件)：
G03F7/039 601 ,  C07D295/08 Z ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/38 ,  H01L21/30 502R ,  C07D295/14 Z ,  C07D295/12 Z
Fターム (24件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096DA01 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096FA01 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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