特許
J-GLOBAL ID：200903021795677200

含窒素有機化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
渡辺 武

渡辺 武 について

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金生 剛

金生 剛 について

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長谷川 幸士

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竹村 勝也

竹村 勝也 について

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野田 和美

野田 和美 について

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小林 克浩

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出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-324619
公開番号（公開出願番号）：特開2005-165295
出願日： 2004年11月09日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【解決手段】 (A)芳香族カルボン酸エステル構造を有する含窒素有機化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。【効果】 本発明の含窒素有機化合物を配合して調製したレジスト材料は、高い解像性と良好なパターン形状を与えるものであり、電子線や遠紫外線を用いた微細加工に有用である。KrFレジスト、ArFレジスト、F2レジスト、EUVレジスト、EBレジスト、X線レジストにおいて高い配合効果を与え、超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)芳香族カルボン酸エステル構造を有する含窒素有機化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト材料。
IPC (4件)：
G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (17件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (22件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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