特許
J-GLOBAL ID：200903005925967405

III族窒化物結晶の形成方法、積層体、およびエピタキシャル基板

発明者：
柴田 智彦

柴田 智彦 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について

, 
DOWAホールディングス株式会社

DOWAホールディングス株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-237587
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053251
出願日： 2005年08月18日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】従来よりも結晶品質の優れたIII族窒化物結晶およびその形成方法を提供する。【解決手段】所定の基材に第1のIII族窒化物結晶を成長下地層2としてエピタキシャル形成してなる下地基板に対して、1250°C以上の所定の温度で熱処理を行う。これにより、成長下地層2の表面には、島状結晶2Iによる三次元的な微細な凹凸形状が形成される。係る下地基板の上に、結晶層4として、第2のIII族窒化物をエピタキシャル形成する。結晶層4と下地基板3との界面には多数の微細な空隙5を介在することになるが、該空隙5の存在により、下地基板3からの転位の伝搬が抑制されるので、結晶層4の転位密度は低下する。結果的に、良好な結晶品質の結晶層4を得ることが出来る。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
III族窒化物結晶の形成方法であって、 所定の基材の上に第1のIII族窒化物からなる下地層をエピタキシャル形成する下地層形成工程と、 エピタキシャル形成処理とは異なる所定の形状変換処理によって当該処理前よりも前記下地層の表面の凹凸変化を高頻度化させることにより前記下地層の表面形状を変換する表面形状変換工程と、 前記表面形状変換工程を経た前記下地層の上に第2のIII族窒化物からなる結晶層をエピタキシャル形成する結晶層形成工程と、 を備えることを特徴とするIII族窒化物結晶の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20
FI (2件)：
H01L21/205 ,  H01L21/20
Fターム (36件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045DA61 ,  5F045HA06 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LN03 ,  5F152LN22 ,  5F152LN26 ,  5F152LN36 ,  5F152NN02 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN07 ,  5F152NN09 ,  5F152NN10 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NP27 ,  5F152NP29 ,  5F152NQ09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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