III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-314662
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222771
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】簡易な方法により低転位のIII族窒化物膜を製造する方法を提供する。【解決手段】所定の基板上に、平坦部の割合が50%以下の凹凸状の表面を有し、少なくともAlを50原子%以上含有してなるIII族窒化物からなる下地膜を形成する。次いで、通常のMOCVD法により、前記下地膜上に、目的とするIII族窒化物膜を形成する。

請求項（抜粋）：

III族窒化物膜を製造する方法であって、平坦部の割合が50%以下の凹凸状の表面を有し、少なくともAlを50原子%以上含有してなる第1のIII族窒化物からなる下地膜上に、前記III族窒化物膜を製造することを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (30件)：

5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045DA51 , 5F045DA54 , 5F045EE12 , 5F045EM04 , 5F045HA06 , 5F045HA22

引用特許：

審査官引用 (10件)

化合物半導体エピタキシャルウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-282524 出願人：昭和電工株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-043960 出願人：松下電器産業株式会社
GaN薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-045405 出願人：理化学研究所

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