レジストパターンの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-355696
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165328
出願日： 2004年12月08日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】下層に密パターンを形成し、上層にパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、ミキシングを抑制できるレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】次の(i)〜(ii)の工程;(i)基板上に第1のネガ型レジスト組成物を用いて第1のレジスト層を形成し、選択的に露光する工程;(ii)該第1のレジスト層の上に第2のネガ型レジスト組成物又はポジ型レジスト組成物を用いて第2のレジスト層を形成し、選択的に露光した後、第1のレジスト層と第2のレジスト層を同時に現像して、前記第1のレジスト層の未露光部の一部を露出させる工程;を含むレジストパターンの形成方法であって、前記第2のネガ型レジスト組成物又はポジ型レジスト組成物として、第1のレジスト層を溶解しない有機溶剤に溶解したものを用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記(i)〜(ii)の工程 (i)基板上に第1のネガ型レジスト組成物を用いて第1のレジスト層を形成し、密パターンを形成する為に選択的に露光する工程 (ii)該第1のレジスト層の上に第2のネガ型レジスト組成物又はポジ型レジスト組成物を用いて第2のレジスト層を形成し、選択的に露光した後、第1のレジスト層と第2のレジスト層を同時に現像して、前記第1のレジスト層の未露光部の一部を露出させる工程を含むレジストパターンの形成方法であって、前記第2のネガ型レジスト組成物又はポジ型レジスト組成物として、第1のレジスト層を溶解しない有機溶剤に溶解したネガ型レジスト組成物又はポジ型レジスト組成物を用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 7/038 , G03F 7/039 , G03F 7/20 , G03F 7/26

FI (6件)：

H01L21/30 573 , G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , G03F7/20 501 , G03F7/26 511 , H01L21/30 502C

Fターム (32件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB14 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CC17 , 2H025DA11 , 2H025FA12 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096EA05 , 2H096KA01 , 2H096KA11 , 2H097AA11 , 2H097FA06 , 2H097GB01 , 2H097LA10 , 5F046AA13 , 5F046BA03 , 5F046NA02 , 5F046NA03

引用特許：

出願人引用 (2件)

ポジ型レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-369340 出願人：東京応化工業株式会社
米国公開公報US2003-0104319A1

審査官引用 (11件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-213282 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法並びに半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-240528 出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-071416 出願人：ソニー株式会社

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