特許
J-GLOBAL ID：200903006126114021

プラズマイオン注入・成膜方法および装置

発明者：
茶谷原 昭義

茶谷原 昭義 について

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杢野 由明

杢野 由明 について

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木野村 淳

木野村 淳 について

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坪内 信輝

坪内 信輝 について

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堀野 裕治

堀野 裕治 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-010944
公開番号（公開出願番号）：特開2003-213412
出願日： 2002年01月21日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：
【要約】【課題】 プラズマイオン注入をもちいて、目的元素以外の元素および粗大粒子が混入しないイオン注入および/または成膜を行う方法および装置を提供することを目的とする。【解決手段】 導電性の融液を陰極とした放電によって、融液の蒸気からプラズマを発生させ、プラズマ中においた被処理物に負の高電圧パルスを印加することによってプラズマ中のイオンを被処理物に注入する。被処理物に印加する電圧が低い場合は成膜となる。また、融液から発する蒸気による蒸着をイオン注入と同時に行うこともできる。
請求項（抜粋）：
プラズマ中の被処理物に負の高電圧パルスを印加して、被処理物にイオン注入及び/又は成膜を行なう方法であって、プラズマ発生に用いる材料蒸発源として固体原料の融液又は昇華物を用いることを特徴とする方法。
IPC (5件)：
C23C 14/48 ,  C23C 14/30 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/265 ,  H05H 1/24
FI (5件)：
C23C 14/48 Z ,  C23C 14/30 Z ,  H01J 37/32 ,  H05H 1/24 ,  H01L 21/265 F
Fターム (9件)：
4K029BA17 ,  4K029BA41 ,  4K029CA03 ,  4K029CA04 ,  4K029CA09 ,  4K029CA10 ,  4K029CA13 ,  4K029DA10 ,  4K029DE02
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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