特許
J-GLOBAL ID：200903006255224712
III族窒化物結晶の製造方法、半導体基板の製造方法、III族窒化物結晶、半導体基板および電子デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-187983
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039248
出願日： 2004年06月25日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】 高品位であり、製造効率も高く、しかも半導体製造プロセスの基板として使用可能で、有用なIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】 組成式AluGavIn1-u-vN(ただし0≦u≦1、0≦v≦1、u+v≦1)で表される半導体からなり、その表面に結晶核発生領域12aを備える半導体層12を形成し、窒素を含む雰囲気中において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムからなる群から選択される少なくとも1つのIII族元素と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方と、窒素とを含む融液に半導体層12の結晶核発生領域12aを接触させることによって、半導体層12上にIII族窒化物結晶13を成長させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(i)組成式AluGavIn1-u-vN(ただし0≦u≦1、0≦v≦1、u+v≦1)で表される半導体からなり、表面に結晶核発生領域を備える半導体層を形成する工程と、
(ii)窒素を含む雰囲気中において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムからなる群から選択される少なくとも1つのIII族元素と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方と、窒素とを含む融液に前記半導体層の前記結晶核発生領域を接触させることによって、前記半導体層上にIII族窒化物結晶を成長させる工程とを含むIII族窒化物結晶の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/208
, H01L21/338
, H01L29/812
, H01L33/00
, H01S5/323
H01L21/208 D
, H01L33/00 C
, H01S5/323 610
, H01L29/80 B
5F041AA40
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA63
, 5F041CA64
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F053AA03
, 5F053DD20
, 5F053FF01
, 5F053GG01
, 5F053HH01
, 5F053LL02
, 5F053LL03
, 5F053PP02
, 5F053RR04
, 5F102FA05
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102HC01
, 5F173AA08
, 5F173AG14
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AH48
, 5F173AH49
, 5F173AP03
, 5F173AP04
, 5F173AP12
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AR82
