半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-343891
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109364
出願日： 2003年10月02日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】2個以上のMOSトランジスタのしきい値電圧差に基づいて基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、基準電圧発生回路からの基準電圧が入力される差動増幅回路を備えた半導体装置において、基準電圧発生回路の回路構成を複雑にすることなく、差動増幅回路の出力電圧の温度依存性をなくす。【解決手段】P型ウエル3内に形成された、同一チャネル濃度でゲート電極27,29の導電性が互いに異なることによりしきい値電圧が異なるMOSトランジスタM1,2のしきい値電圧差に基づいて基準電圧端子Vrefに基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、基準電圧発生回路からの基準電圧が入力される、オフセット電圧を有する差動増幅回路31を備え、差動増幅回路31のオフセット電圧は、オフセット電圧に基づく出力電圧の温度係数と基準電圧発生回路から出力される基準電圧の温度係数が互いに相殺するように設定されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同一ウエル内に形成された、同一チャネル濃度でゲート電極の導電性が互いに異なることによりしきい値電圧が異なる2個以上のMOSトランジスタのしきい値電圧差に基づいて基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、前記基準電圧発生回路からの基準電圧が入力される、オフセット電圧を有する差動増幅回路を備え、前記差動増幅回路のオフセット電圧は、オフセット電圧に基づく出力電圧の温度係数と前記基準電圧発生回路から出力される基準電圧の温度係数が互いに相殺するように設定されている半導体装置。

IPC (8件)：

H01L21/822 , G05F1/56 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L27/092 , H03F3/45

FI (8件)：

H01L27/04 B , G05F1/56 310E , G05F1/56 310F , H03F3/45 A , H03F3/45 B , H01L27/08 102C , H01L27/08 102J , H01L27/08 321L

Fターム (50件)：

5F038AV06 , 5F038BB02 , 5F038BB04 , 5F038CA08 , 5F038DF01 , 5F038EZ20 , 5F048AB08 , 5F048AB10 , 5F048AC02 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB03 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB15 , 5F048BB20 , 5F048BC07 , 5F048BD04 , 5F048BD10 , 5F048BE03 , 5H430BB01 , 5H430BB09 , 5H430BB11 , 5H430EE06 , 5H430FF02 , 5H430FF13 , 5H430GG09 , 5H430HH03 , 5H430LA21 , 5J500AA01 , 5J500AA12 , 5J500AC02 , 5J500AC13 , 5J500AF16 , 5J500AH10 , 5J500AH17 , 5J500AH19 , 5J500AH25 , 5J500AK06 , 5J500AK09 , 5J500AK11 , 5J500AM11 , 5J500AM21 , 5J500AQ02 , 5J500AT02 , 5J500DN01 , 5J500DN14 , 5J500DN22 , 5J500DN23 , 5J500DP01

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭56-108258号公報
CMOS基準電圧回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-064287 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (9件)

定電圧回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-327062 出願人：日本電気株式会社
基準電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-089018 出願人：シチズン時計株式会社
特開平3-180915

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