特許
J-GLOBAL ID：200903006494231470
半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-272249
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086469
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 取り出される光の色ムラを抑えた上、高光束化が可能な半導体発光装置、これを用いた照明モジュール及び照明装置、並びに半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体多層膜(12)と、半導体多層膜(12)を支持する基板(10)と、半導体多層膜(12)を覆って基板(10)上に形成された蛍光体膜(11)とを有し、蛍光体膜(11)は、基板(10)の主面(10a)に平行な方向に切断した断面の外縁が、略円形状又は5つ以上の辺を有する略正多角形状に形成され、基板(10)の主面(10a)の外縁(10c)は、基板(10)上の蛍光体膜(11)が形成された領域(10d)を囲み、かつ略円形状又は5つ以上の辺を有する略正多角形状に形成されている半導体発光装置(1)とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型層と発光層と前記発光層から発せられた光の取り出し側に配置される第2導電型層とがこの順に積層された半導体多層膜と、
前記第1導電型層に接触して形成された第1電極と、
前記第2導電型層に接触して形成された第2電極と、
前記半導体多層膜の前記第1導電型層側に配置され、前記半導体多層膜を支持する基板と、
前記基板における前記半導体多層膜側の主面に対する裏面に形成された第1及び第2端子と、
前記第1電極と前記第1端子とを電気的に接続する第1導電部材と、
前記第2電極と前記第2端子とを電気的に接続する第2導電部材と、
前記半導体多層膜を覆って前記基板上に形成され、前記発光層から発せられた光を吸収して蛍光を発する蛍光体を含む蛍光体膜とを有する半導体発光装置であって、
前記蛍光体膜は、前記基板における前記半導体多層膜側の主面に平行な方向に切断した断面の外縁が、略円形状又は5つ以上の辺を有する略正多角形状に形成され、
前記基板における前記半導体多層膜側の主面の外縁は、前記基板上の前記蛍光体膜が形成された領域を囲み、かつ略円形状又は5つ以上の辺を有する略正多角形状に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
5F041AA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA92
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA12
, 5F041DA13
, 5F041DA20
, 5F041DA42
, 5F041DA45
, 5F041DA77
, 5F041DA78
, 5F041DB03
, 5F041DB08
, 5F041EE16
, 5F041EE23
, 5F041FF11
出願人引用 (2件)
審査官引用 (9件)
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