半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-324991
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218052
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】活性層を劣化させることなく窒素を含むp型III-V 族化合物半導体層を低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】サファイア基板1上に、組成が(Alx Ga1-x )y In1-y N(0≦x≦1、0≦y≦1)で表されるp型InGaAlN層2,InGaAlN活性層3及びn型InGaAlN層4を形成する。as-grownの状態では、p型InGaAlN層2中においてMgが水素原子と結合している。次に、窒素雰囲気下で、サファイア基板1の裏面からレーザを照射する。弱いレーザの照射により、p型InGaAlN層2の水素離脱による低抵抗化を行なう。その際、積層部10中のドーパントの拡散を抑制して、ドーパントプロファイルの急峻性を維持することができる。その後、強いレーザの照射によって、サファイア基板1を積層部10から分離させることもできる。

請求項（抜粋）：

単結晶基板からのエピタキシャル成長により形成された半導体層を有する半導体装置の製造方法であって、上記単結晶基板を覆うように、p型不純物がドープされた窒素を含むIII-V 族化合物からなる第1の半導体層と、n型不純物がドープされた窒素を含むIII-V族化合物からなるn型の第2の半導体層とを少なくとも有する積層膜を形成する工程(a)と、光を上記第1の半導体層に照射して、上記第1の半導体層中のp型不純物を活性化する工程(b)とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/268 , H01L 21/02 , H01L 21/20 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (5件)：

H01L 21/268 E , H01L 21/02 B , H01L 21/20 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (20件)：

5F041AA24 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F052AA02 , 5F052BA15 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052DA04 , 5F052DB01 , 5F052EA11 , 5F052JA05 , 5F052JA07 , 5F052KB09 , 5F073CA02 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA35

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体素子製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-309705 出願人：パイオニア株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-354655 出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

審査官引用 (7件)

半導体中の不純物の活性化方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-305519 出願人：ソニー株式会社
半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-272286 出願人：株式会社東芝
III-V族窒化物半導体のエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-064291 出願人：理化学研究所

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