特許
J-GLOBAL ID：200903006541169940
ハーフトーン位相シフトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199688
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050111
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】 超微細なパターンの形成を必要とせず、露光時の像形成に悪影響を及ぼす光強度のサブピークを抑え、かつ、素子領域の外側の多重露光される領域での透過率を下げた遮光パターンを有するハーフトーン位相シフトマスク。【解決手段】 透明基板101上に単層又は2層以上の層からなるハーフトーン位相シフト膜102を有するハーフトーン位相シフトマスクにおいて、透明基板101上の素子領域の外側の多重露光される領域107において、このハーフトーン位相シフト膜102の組成を、電磁波、粒子線、熱線等を照射する方法、組成を変化させたくない領域をマスキングした後に全体を活性な雰囲気に曝す方法で、変えることより、その領域の露光光に対する透過率を下げる。
請求項（抜粋）：
透明基板上に単層又は2層以上の層からなるハーフトーン位相シフト膜を有するハーフトーン位相シフトマスクにおいて、前記ハーフトーン位相シフト膜の中の少なくとも1層が、1種類以上の金属元素と、酸素、フッ素、炭素、窒素、塩素の中の1種類以上の元素との化合物を主成分とする層からなり、かつ、前記透明基板上の一部の領域において、前記化合物の酸素、フッ素、炭素、窒素、塩素の含有量が他の領域での含有量と異なっていることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
