特許
J-GLOBAL ID：200903006719499400

シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法並びにシリカ系被膜を備える電子部品

発明者：
阿部 浩一

阿部 浩一 について

, 
桜井 治彰

桜井 治彰 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  赤堀 龍吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-228554
公開番号（公開出願番号）：特開2006-045352
出願日： 2004年08月04日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 低い比誘電率を有するシリカ系被膜を形成することが可能なシリカ系被膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、(a)成分:下記一般式(1); RnSiX4-n ・・・(1)(式中、Rは、B原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子及びTi原子のうちの少なくとも1種を含む基、炭素数1〜20の有機基、H原子、又は、F原子を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を示す。ただし、nが2のとき、各Rは同一でも異なっていてもよく、nが0〜2のとき、各Xは同一でも異なっていてもよい。)、で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、(b)成分:上記(a)成分を溶解可能な溶媒と、(c)成分:空孔を有する固体粒子と、(d)成分:第四級オニウム塩と、を含有することを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(a)成分:下記一般式(1); RnSiX4-n ・・・(1) (式中、Rは、B原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子及びTi原子のうちの少なくとも1種を含む基、炭素数1〜20の有機基、H原子、又は、F原子を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を示す。ただし、nが2のとき、各Rは同一でも異なっていてもよく、nが0〜2のとき、各Xは同一でも異なっていてもよい。) で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、 (b)成分:前記(a)成分を溶解可能な溶媒と、 (c)成分:空孔を有する固体粒子と、 (d)成分:第四級オニウム塩と、 を含有することを特徴とするシリカ系被膜形成用組成物。
IPC (6件)：
C09D 183/04 ,  C09D 7/12 ,  C09D 183/02 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H05K 3/46
FI (6件)：
C09D183/04 ,  C09D7/12 ,  C09D183/02 ,  H01L21/312 C ,  H01L21/316 G ,  H05K3/46 T
Fターム (47件)：
4J038DF022 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038DL061 ,  4J038DL161 ,  4J038HA186 ,  4J038HA446 ,  4J038JA19 ,  4J038JA28 ,  4J038JA33 ,  4J038JA55 ,  4J038JA62 ,  4J038JB11 ,  4J038KA06 ,  4J038KA08 ,  4J038KA21 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  4J038PC03 ,  4J038PC08 ,  5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA32 ,  5E346AA51 ,  5E346CC16 ,  5E346CC21 ,  5E346DD03 ,  5E346DD07 ,  5E346EE33 ,  5E346GG07 ,  5E346GG19 ,  5E346HH06 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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