高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-140891
公開番号（公開出願番号）：特開2002-332353
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数3〜20の環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよく、酸素原子、硫黄原子などのヘテロ原子又はシアノ基を含んでいてもよい。R2は炭素数3〜20の環状の(c+1)価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよく、酸素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を含んでいてもよい。R3は酸不安定基である。a、bは正数であり、cは1〜4の整数である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数3〜20の環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよく、酸素原子、硫黄原子などのヘテロ原子又はシアノ基を含んでいてもよい。R2は炭素数3〜20の環状の(c+1)価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよく、酸素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を含んでいてもよい。R3は酸不安定基である。a、bは正数であり、cは1〜4の整数である。)

IPC (7件)：

C08G 77/26 , C08K 5/00 , C08L 83/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (7件)：

C08G 77/26 , C08K 5/00 , C08L 83/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R

Fターム (40件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA23 , 2H096JA04 , 4J002CP171 , 4J002EB006 , 4J002EQ016 , 4J002ES016 , 4J002EU026 , 4J002EV216 , 4J002EV246 , 4J002EV296 , 4J002FD206 , 4J035BA11 , 4J035CA101 , 4J035CA20N , 4J035CA201 , 4J035GA01 , 4J035GB08 , 4J035LA03 , 4J035LB16

引用特許：

審査官引用 (15件)

高分子シリコーン化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-029321 出願人：信越化学工業株式会社
高分子シリコーン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-227633 出願人：信越化学工業株式会社
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-077042 出願人：ジェイエスアール株式会社

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