高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-070217
公開番号（公開出願番号）：特開2002-268227
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年09月18日
要約：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。R<SP>2</SP>は酸不安定基であり、0≦m≦3、0≦n≦3、0≦o≦3、0≦p≦3、m+n=3、o+p=3、0<n+p≦6の範囲である。R<SP>3</SP>はフッ素原子を含まない親水性基である。a、bは正数を示す。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、及びプラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF<SB>2</SB>エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。R<SP>2</SP>は酸不安定基であり、0≦m≦3、0≦n≦3、0≦o≦3、0≦p≦3、m+n=3、o+p=3、0<n+p≦6の範囲である。R<SP>3</SP>はフッ素原子を含まない親水性基である。a、bは正数を示す。)

IPC (7件)：

G03F 7/075 521 , C08G 77/22 , C08K 5/00 , C08L 83/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 7/075 521 , C08G 77/22 , C08K 5/00 , C08L 83/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (47件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB33 , 2H025CB41 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H025FA41 , 4J002CP051 , 4J002CP081 , 4J002CP091 , 4J002CP101 , 4J002EN008 , 4J002EN137 , 4J002EQ017 , 4J002EV237 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002FD208 , 4J002FD209 , 4J002GP03 , 4J035BA12 , 4J035CA03N , 4J035CA031 , 4J035CA08N , 4J035CA081 , 4J035CA09N , 4J035CA091 , 4J035CA16N , 4J035CA161 , 4J035CA22N , 4J035CA221 , 4J035CA26N , 4J035CA261 , 4J035CA301 , 4J035EB02 , 4J035LA03 , 4J035LB16

引用特許：

審査官引用 (12件)

ポリシロキサン
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-300517 出願人：ジェイエスアール株式会社
ポリシロキサン
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-019834 出願人：ジェイエスアール株式会社
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-159834 出願人：信越化学工業株式会社

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