特許
J-GLOBAL ID:200903073585233091

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-070217
公開番号(公開出願番号):特開2002-268227
出願日: 2001年03月13日
公開日(公表日): 2002年09月18日
要約:
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。R<SP>2</SP>は酸不安定基であり、0≦m≦3、0≦n≦3、0≦o≦3、0≦p≦3、m+n=3、o+p=3、0<n+p≦6の範囲である。R<SP>3</SP>はフッ素原子を含まない親水性基である。a、bは正数を示す。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、及びプラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF<SB>2</SB>エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。R<SP>2</SP>は酸不安定基であり、0≦m≦3、0≦n≦3、0≦o≦3、0≦p≦3、m+n=3、o+p=3、0<n+p≦6の範囲である。R<SP>3</SP>はフッ素原子を含まない親水性基である。a、bは正数を示す。)
IPC (7件):
G03F 7/075 521 ,  C08G 77/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (7件):
G03F 7/075 521 ,  C08G 77/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (47件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA41 ,  4J002CP051 ,  4J002CP081 ,  4J002CP091 ,  4J002CP101 ,  4J002EN008 ,  4J002EN137 ,  4J002EQ017 ,  4J002EV237 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002FD208 ,  4J002FD209 ,  4J002GP03 ,  4J035BA12 ,  4J035CA03N ,  4J035CA031 ,  4J035CA08N ,  4J035CA081 ,  4J035CA09N ,  4J035CA091 ,  4J035CA16N ,  4J035CA161 ,  4J035CA22N ,  4J035CA221 ,  4J035CA26N ,  4J035CA261 ,  4J035CA301 ,  4J035EB02 ,  4J035LA03 ,  4J035LB16
引用特許:
審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る