高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-140211
公開番号（公開出願番号）：特開2002-338690
出願日： 2001年05月10日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R1は単結合又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。R2は酸不安定基であり、R3はフッ素原子又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基であり、1≦m≦3、1≦n≦4、m+n≦5の範囲である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R1は単結合又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。R2は酸不安定基であり、R3はフッ素原子又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基であり、1≦m≦3、1≦n≦4、m+n≦5の範囲である。)

IPC (6件)：

C08G 77/24 , C08K 5/00 , C08L 83/08 , G03F 7/039 601 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (6件)：

C08G 77/24 , C08K 5/00 , C08L 83/08 , G03F 7/039 601 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R

Fターム (59件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB33 , 2H025CB41 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA09 , 2H096DA01 , 2H096EA03 , 2H096EA04 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA24 , 2H096HA25 , 4J002CP031 , 4J002CP081 , 4J002EJ037 , 4J002EJ047 , 4J002EJ067 , 4J002EN028 , 4J002EN029 , 4J002EN038 , 4J002EN048 , 4J002EN068 , 4J002EN108 , 4J002EN118 , 4J002EQ016 , 4J002ES008 , 4J002EU028 , 4J002EU048 , 4J002EU078 , 4J002EU079 , 4J002EU118 , 4J002EU139 , 4J002EU228 , 4J002EU239 , 4J002EV236 , 4J002EV328 , 4J002GP03 , 4J035BA12 , 4J035CA01K , 4J035CA07K , 4J035CA16K , 4J035LA03 , 4J035LB16

引用特許：

審査官引用 (18件)

ポジ型シリコーンレジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-187885 出願人：日本電信電話株式会社
ポリシロキサン化合物及びポジ型レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-270580 出願人：信越化学工業株式会社
化学増幅ポジ型レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-104589 出願人：信越化学工業株式会社

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