特許
J-GLOBAL ID：200903007298112892

半導体装置及びその製造方法

発明者：
谷田 義明

谷田 義明 について

, 
杉山 芳弘

杉山 芳弘 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198993
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047503
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】絶縁膜の材料としてAl2O3等を用いる場合であっても、フラットバンド電圧のシフトを抑制し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成された、III族元素及びV族元素の一方である第1の元素を含む酸化物より成る中間層と、中間層上に形成された、III族元素及びV族元素の他方である第2の元素の酸化物より成る絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極とを有している。第1の元素を含む酸化物より成る中間層が形成されているため、ゲート絶縁膜の材料としてAl2O3等を用いた場合であっても、界面準位密度を低く抑えることができる。従って、フラットバンド電圧の大きなシフトを防止し得る半導体装置及びその製造方法を提供することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された、III族元素及びV族元素の一方である第1の元素を含む酸化物より成る中間層と、 前記中間層上に形成された、III族元素及びV族元素の他方である第2の元素の酸化物より成る絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成された電極と を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L29/78 ,  H01L29/861
FI (2件)：
H01L29/78 301G ,  H01L29/91 L
Fターム (25件)：
5F140AA00 ,  5F140AC14 ,  5F140AC39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CE10
引用特許：
審査官引用 (10件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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