特許
J-GLOBAL ID：200903007793364628
太陽電池
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069088
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270869
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 裏面パッシベーション膜として形成する窒化シリコン膜の形成形態を、裏面金属電極層表面での反射光とシリコン単結晶基板/窒化シリコン膜境界での反射光との干渉を考慮に入れて工夫することにより、より高効率の太陽電池を具現する。【解決手段】 太陽電池1の裏面構造において、シリコン単結晶基板3の裏面MPPと受光面MPSとのいずれにも{111}面を主体とするテクスチャが形成されていない場合、裏面側の窒化シリコン膜4の膜厚を40nm〜220nmとする。また、受光面MPS側にのみテクスチャ形成される場合、裏面側の窒化シリコン膜4の膜厚を100nm〜300nmとする。さらに、裏面MPPと受光面MPSとのいずれにもテクスチャ形成される場合、裏面側の窒化シリコン膜4の膜厚を40nm〜230nmとする。
請求項（抜粋）：
結晶主軸方向が<100>であり、かつ、第一主表面と第二主表面とのいずれにも{111}面を主体とするテクスチャが形成されていないシリコン単結晶基板の、前記第二主表面を受光面とし、他方、裏面側となる前記第一主表面に、窒化シリコン膜が40〜220nmの厚さにて形成され、さらに、該窒化シリコン膜を覆う形で裏面金属電極層が形成されてなることを特徴とする太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 F
, H01L 31/04 H
5F051AA02
, 5F051CB27
, 5F051FA06
, 5F051FA15
, 5F051FA18
, 5F051FA23
