半導体の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120678
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293467
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】非晶質珪素膜を加熱やレーザー光の照射によって結晶化させる際に、ガラス基板が耐えるような温度での工程ですむような工程を提供する。【構成】ガラス基板201上に気相法で形成された非晶質珪素膜203に対して、ECR法でプラズマ化した水素プラズマまたはヘリウムプラズマでもって処理を行う。そしてこの非晶質珪素膜に対して加熱処理を加えることにより、結晶性珪素膜を得る。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、水素またはヘリウムを主成分とするガスのプラズマによって前記非晶質珪素膜を処理する工程と、前記非晶質珪素膜にエネルギーを与える工程と、を有することを特徴とする半導体の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/324 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H05H 1/46 , H01L 21/205

FI (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 21/324 P , H05H 1/46 A , H01L 21/205 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (36件)

特開平4-022120
多結晶シリコン膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法及びリモートプラズマ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-142529 出願人：富士ゼロックス株式会社
特開平4-286336

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