特許
J-GLOBAL ID：200903007837875935
窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-297129
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134555
出願日： 2002年10月10日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】端面劣化が少なく、良好なFFPが得られる窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】n型半導体層、活性層、及びp型半導体層からなる窒化物半導体層にリッジストライプからなる導波路領域を有し、導波路領域の共振器面に活性層よりもバンドギャップの広い窒化物半導体からなるウインドウ領域を有する窒化物半導体レーザ素子であって、窒化物半導体層は、一部が前記共振器面よりも突出するn型半導体層突出部を有し、ウインドウ領域は、p型半導体層の端面から、n型半導体層突出部より活性層側のn型半導体層の端面までの端面領域に形成されていることを特徴とする。これにより、端面劣化が少なく、ウインドウ領域内を伝搬する光が出射部以外から外部に放出されにくい窒化物半導体レーザ素子を得ることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型半導体層、活性層、及びp型半導体層からなる窒化物半導体層にリッジストライプからなる導波路領域を有し、該導波路領域の共振器面に前記活性層よりもバンドギャップの広い窒化物半導体からなるウインドウ領域を有する窒化物半導体レーザ素子であって、
前記窒化物半導体層は、一部が前記共振器面よりも突出するn型半導体層突出部を有し、
前記ウインドウ領域は、前記p型半導体層の端面から、前記n型半導体層突出部より活性層側のn型半導体層の端面までの端面領域に形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA87
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB20
, 5F073DA05
, 5F073DA33
, 5F073EA24
, 5F073EA28
