基板のめっき装置およびめっき方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：渡邉勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-153754
公開番号（公開出願番号）：特開2001-323398
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】めっき処理及びそれに付帯する処理を単一のユニットで行うことができ、しかも基板の被めっき面とアノードとの間に満たされるめっき液中に気泡が残らないようにする。【解決手段】被めっき面を上方に向けて基板を保持する基板保持部36と、基板保持部で保持された基板と接触して通電させるカソード電極88と、基板の上方に配置され下向きにアノード98を備えた電極アーム部30と、基板保持部で保持された基板の被めっき面と該被めっき面に近接させた電極アーム部30のアノード98との間の空間にめっき液を注入するめっき液注入手段とを有し、めっき液注入手段は、アノード98の一部に設けた上下に貫通するめっき液注入孔、又はアノード外周部に配置したノズルからアノードの下面側にめっき液が注入されて基板の被めっき面の全面に広がるように構成されている。

請求項（抜粋）：

基板を保持する基板保持部と、該基板保持部で保持された基板と接触して通電させるカソード電極と、前記基板に近接して配置されたアノードと、前記基板保持部で保持された基板の被めっき面と該被めっき面に近接させたアノードとの間の空間にめっき液を注入するめっき液注入手段とを有し、前記めっき液注入手段は、前記アノードの一部またはアノード外周部に配置しためっき液注入経路からアノードと基板の被めっき面の間にめっき液が注入されて基板の被めっき面に拡がるように構成されていることを特徴とする基板のめっき装置。

IPC (10件)：

C25D 17/12 , C25D 5/04 , C25D 5/08 , C25D 7/12 , C25D 17/00 , C25D 21/00 , C25D 21/04 , H01L 21/288 , H01L 21/3205 , H05K 3/18

FI (12件)：

C25D 17/12 Z , C25D 5/04 , C25D 5/08 , C25D 7/12 , C25D 17/00 J , C25D 21/00 B , C25D 21/04 , H01L 21/288 E , H05K 3/18 G , H05K 3/18 N , H01L 21/88 B , H01L 21/88 R

Fターム (55件)：

4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024AB02 , 4K024AB15 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024BC06 , 4K024CB02 , 4K024CB06 , 4K024CB09 , 4K024CB13 , 4K024CB15 , 4K024CB17 , 4K024CB18 , 4K024CB26 , 4K024GA16 , 4M104AA01 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104DD75 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG00 , 4M104HH00 , 4M104HH16 , 5E343AA02 , 5E343AA11 , 5E343AA22 , 5E343BB24 , 5E343BB71 , 5E343DD25 , 5E343DD44 , 5E343DD48 , 5E343DD49 , 5E343DD50 , 5E343FF16 , 5E343FF18 , 5E343FF20 , 5E343GG11 , 5F033HH11 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ33 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ38 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033XX00 , 5F033XX33 , 5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-180590
連続表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-346272 出願人：住友特殊金属株式会社, 帝国イオン株式会社
メッキ方法及びメッキ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-033234 出願人：株式会社東芝

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