特許
J-GLOBAL ID:200903008509749546

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-026699
公開番号(公開出願番号):特開2006-216692
出願日: 2005年02月02日
公開日(公表日): 2006年08月17日
要約:
【課題】不良を招くことなくパッケージの薄型化を図る。【解決手段】複数のチップ12-1〜12-3が外部接続電極14-1,14-2,14-3を有する基板11上に積層して搭載され、ワイヤボンディングで実装されている。チップ上に積層された少なくとも1つのチップは、ボンディングパッド15-2,15-3に対応する位置の裏面に、ボンディングパッドよりも内側に始点を有し、側壁に達する終点まで外周に向かって薄くなり、下段に配置されたチップ12-1の主表面との間にボールボンディング部を収容するための空隙を形成するオーバーハング部17-2,17-3と、このオーバーハング部を覆うように形成され、下段に配置されたチップのボンディングワイヤと上段のチップとの接触を防止する絶縁層18-2,18-3とを備えている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
外部接続電極を有する基板上に複数の半導体チップが積層して搭載され、各半導体チップがワイヤボンディングによって前記基板に実装された半導体装置であって、 半導体チップ上に積層された少なくとも1つの半導体チップは、 半導体チップの少なくとも一辺に沿って主表面上に配置され、半導体素子に電気的に接続されたボンディングパッドと、 前記半導体チップの裏面の前記ボンディングパッドに対応する位置に形成され、前記ボンディングパッドよりも内側に始点を有し、側壁に達する終点まで外周に向かって薄くなるように形成され、下段に配置された半導体チップの主表面との間にボールボンディング部を収容するための空隙を形成するオーバーハング部と、 前記オーバーハング部を覆うように形成され、前記下段に配置された半導体チップのボンディングワイヤとの接触を防止する絶縁層と を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/065
FI (1件):
H01L25/08 Z
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る