特許
J-GLOBAL ID：200903017342912210

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
東野 朋子

東野 朋子 について

, 
鈴木 一成

鈴木 一成 について

, 
宮崎 忠一

宮崎 忠一 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-154840
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356529
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】複数の半導体チップを実装基板上に積層した半導体装置の個々のチップの接着性を向上させ、半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】実装基板1上の半導体チップ搭載領域に主として熱硬化性を有する樹脂よりなる接着材7を塗布し、半導体チップ3Aを搭載した後、熱処理することにより接着材7を硬化させ、常温まで自然冷却すると、実装基板1と半導体チップ3Aのα値の差により実装基板1等が凸型に反った形状となるが、この後、パッドP1とパッドPAとをワイヤボンディングし、その後、半導体チップ3A上に熱可塑性を有する樹脂よりなる接着材9Aを貼り付け、その上部にスペーサチップ5を熱圧着する。このように、熱圧着の際の熱で実装基板1や半導体チップ3Aがそれぞれほぼ平坦となり、半導体チップ3Aとスペーサチップ5の接着性が向上する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
(a)実装基板上に第1接着材を介して第1半導体チップを搭載する工程と、 (b)前記(a)工程の後、熱処理によって前記第1接着材を硬化させることにより前記実装基板上に前記第1半導体チップを固定する工程と、 (c)前記(b)工程の後、前記第1半導体チップの上方に第2半導体チップを搭載する工程であって、前記実装基板および前記第1半導体チップに熱を加えることによって前記第1半導体チップの表面が前記熱を加える前より平坦となった状態で、前記第2半導体チップを第2接着材を介して接着する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/52 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (2件)：
H01L21/52 C ,  H01L25/08 Z
Fターム (3件)：
5F047BA21 ,  5F047BA23 ,  5F047BB03
引用特許：
審査官引用 (19件)
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