特許
J-GLOBAL ID：200903008775709193

半導体装置およびその製造方法、めっき液

発明者：
上野 和良

上野 和良 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127702
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324148
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】金属領域を備えた半導体装置において、ストレスマイグレーション耐性を高め、信頼性を向上させる。【解決手段】絶縁膜101中に、バリアメタル膜102および銅銀合金膜103からなる下層配線を形成し、この上に層間絶縁膜104を形成する。この層間絶縁膜104中にバリアメタル膜106および銅銀合金膜111からなる上層配線を形成する。下層配線および上層配線を銅銀合金により形成する。銅銀合金は、銅に対する銀の固溶限を超える銀を含むものとする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に金属領域を備える半導体装置であって、前記金属領域は銀を含む金属からなり、前記金属領域を構成する金属全体に対する銀の含有率が1質量%より大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288
FI (3件)：
C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/90 A
Fターム (83件)：
4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AB15 ,  4K024BA09 ,  4K024BB12 ,  4K024CA01 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB38 ,  4M104DD15 ,  4M104DD20 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH02 ,  4M104HH05 ,  5F033HH12 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK12 ,  5F033KK14 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033LL09 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033XX06
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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