特許

J-GLOBAL ID：200903008823349749

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  大沼 英人 ,  掛端 哲弥
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-205331
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076879
出願日： 2008年08月08日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】SOI構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の電界効果トランジスタがそれぞれ平坦化層を介して積層しており、複数の電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は平坦化層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている半導体装置とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に複数の電界効果トランジスタがそれぞれ平坦化層を介して積層しており、 前記複数の電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、 該半導体層は前記絶縁表面を有する基板、又は前記平坦化層上にそれぞれ設けられた絶縁層と接合されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/00

FI (10件)：

H01L29/78 627D ,  H01L29/78 613Z ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/322 X ,  H01L27/12 B ,  H01L21/20 ,  H01L27/08 321G ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 620 ,  H01L27/00 301C

Fターム (112件)：

5F048AA07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048BA10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB06 ,  5F048BB09 ,  5F048BB17 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048CB01 ,  5F048CB02 ,  5F048CB03 ,  5F048CB10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE28 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F152AA12 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CE03 ,  5F152CE06 ,  5F152CE08 ,  5F152DD02 ,  5F152EE11 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF03 ,  5F152FF04 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF08 ,  5F152FF11 ,  5F152FF14 ,  5F152FF15 ,  5F152FF16 ,  5F152FF17 ,  5F152FF19 ,  5F152FF20 ,  5F152FF43 ,  5F152FF47 ,  5F152FG01 ,  5F152FG03 ,  5F152FH02 ,  5F152LM09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152MM04 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN19 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 水素イオン注入剥離法によってSOIウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたSOIウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-314018   出願人：信越半導体株式会社, エスオーアイテックエス・エー
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-337670   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (5件)

• 柔軟な構造を有する半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-021421   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-191088   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 電気光学装置、液晶装置ならびに投射型表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-303220   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 集積回路メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-267439   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-185389   出願人：株式会社東芝