半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：龍華国際特許業務法人 , 林茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-045943
公開番号（公開出願番号）：特開2009-239268
出願日： 2009年02月27日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：

【課題】化合物半導体デバイスのスイッチング速度等の性能を向上できる半導体基板を提供する。【解決手段】シリコン基板102と、シリコン基板の上に形成された絶縁膜104であってアスペクト比が√3/3以上のシリコン基板に達する開口部を有する絶縁膜104と、開口部に形成された化合物半導体結晶108であって絶縁膜104の表面より凸に形成されたシード化合物半導体結晶108と、シード化合物半導体結晶108の特定面をシード面として、絶縁膜の上にラテラル成長されたラテラル成長化合物半導体層112と、を備えた半導体基板。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板の上に形成された絶縁膜であって、前記シリコン基板に達しアスペクト比が√3/3以上の開口部を有する絶縁膜と、前記開口部に形成された化合物半導体結晶であって前記絶縁膜の表面よりも凸に形成されたシード化合物半導体結晶と、前記シード化合物半導体結晶の特定面をシード面として、前記絶縁膜の上にラテラル成長されたラテラル成長化合物半導体層と、を備えた半導体基板。

IPC (9件)：

H01L 27/12 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L27/12 G , H01L29/80 H , H01L27/08 331E , H01L27/08 102A , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A

Fターム (51件)：

5F048AA07 , 5F048AC01 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BB04 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BF01 , 5F048BF07 , 5F048BG07 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL05 , 5F102GM05 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR09 , 5F102HC01 , 5F110AA26 , 5F110BB11 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG04 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110NN74

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平4-233720号公報

審査官引用 (7件)

エピタキシャルウエハ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-088020 出願人：住友金属工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-168738 出願人：株式会社東芝
薄膜形成方法及び薄膜デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-073527 出願人：成塚重弥, 太陽誘電株式会社

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