特許
J-GLOBAL ID：200903009083887519

半導体モジュールおよびそれらの製造方法

発明者：
倉持 悟

倉持 悟 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-167244
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005488
出願日： 2003年06月12日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】電気特性に優れ、小型化、薄型化、軽量化に対応し、高品質、低コストの半導体モジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】配線基板とセンサーデバイスを接続してなる半導体モジュールにおいて、前記配線基板が、コア基板の少なくとも一方の面に絶縁層を介して配線層が設けられており、前記コア基板は、XY方向の熱膨張係数が2〜20ppmの範囲内であり、ガラスもしくはセラミック基板のいずれかより選ばれ、導電材料により表裏の導通がなされた複数のスル-ホ-ルを有し、前記配線基板と前記センサーデバイスが接合層により接合していることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
配線基板とセンサーデバイスを接続してなる半導体モジュールにおいて、 前記配線基板が、コア基板の少なくとも一方の面に絶縁層を介して配線層が設けられており、 前記コア基板は、XY方向の熱膨張係数が2〜20ppmの範囲内であり、ガラスもしくはセラミック基板のいずれかより選ばれ、導電材料により表裏の導通がなされた複数のスル-ホ-ルを有し、 前記配線基板と前記センサーデバイスが接合層により接合していることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (3件)：
H01L23/12 ,  H01L27/14 ,  H01L31/02
FI (3件)：
H01L23/12 501C ,  H01L27/14 D ,  H01L31/02 B
Fターム (14件)：
4M118AA10 ,  4M118BA08 ,  4M118BA14 ,  4M118HA02 ,  4M118HA07 ,  4M118HA23 ,  4M118HA25 ,  4M118HA26 ,  4M118HA31 ,  4M118HA32 ,  4M118HA33 ,  5F088BA15 ,  5F088BA16 ,  5F088GA02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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