特許
J-GLOBAL ID：200903009085226714

配線形成方法

発明者：
経塚 正宏

経塚 正宏 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-205799
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032462
出願日： 2004年07月13日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 何ら不具合が発生することなく、機械研磨を用いたダマシン法により樹脂層の溝に導電層を埋め込んで配線層を形成する方法を提供する。【解決手段】 基板10上に樹脂層18を形成した後に、樹脂層18に溝18xが形成され、かつ樹脂層18の上に保護金属層20(Ni又はTiW)が形成された構造を形成する。続いて、溝18xを埋め込む導電層22(Cu)を溝18x内及び保護金属層20上に形成した後に、保護金属層20を研磨防御層として利用して、導電層22を機械研磨することにより、導電層22を溝18x内に埋め込んで配線層24を得る。その後に、保護金属層20を除去する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板の上に樹脂層を形成する工程と、 前記樹脂層に溝が形成され、かつ前記樹脂層の上に保護金属層が形成された構造を形成する工程と、 前記溝を埋め込む導電層を前記溝内及び前記保護金属層上に形成する工程と、 前記保護金属層を研磨防御層として利用して、前記導電層を機械研磨することにより、前記導電層を前記溝内に埋め込んで配線層を得る工程と、 前記樹脂層上の前記保護金属層を除去する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。
IPC (3件)：
H05K 3/04 ,  H05K 3/22 ,  H05K 3/40
FI (3件)：
H05K3/04 Z ,  H05K3/22 B ,  H05K3/40 K
Fターム (36件)：
5E317AA24 ,  5E317BB02 ,  5E317BB03 ,  5E317BB12 ,  5E317BB15 ,  5E317BB16 ,  5E317CC25 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CC52 ,  5E317CD27 ,  5E317GG20 ,  5E339AB02 ,  5E339AC01 ,  5E339AD03 ,  5E339BC02 ,  5E339BD03 ,  5E339BD08 ,  5E339BE03 ,  5E339BE13 ,  5E339GG02 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343BB02 ,  5E343BB24 ,  5E343BB35 ,  5E343BB40 ,  5E343BB44 ,  5E343BB45 ,  5E343BB71 ,  5E343DD25 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343DD76 ,  5E343DD80 ,  5E343GG06
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (3件)

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