特許
J-GLOBAL ID：200903009134306800

半導体加工用保護膜形成用塗布液、その調製方法およびこれより得られる半導体加工用保護膜

発明者：
江上 美紀

江上 美紀 について

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荒尾 弘樹

荒尾 弘樹 について

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中島 昭

中島 昭 について

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小松 通郎

小松 通郎 について


出願人/特許権者：
触媒化成工業株式会社

触媒化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 政久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-305662
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120783
出願日： 2004年10月20日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】 高い膜強度と低い比誘電率を有するCMP犠牲膜やエッチング・ストッパー膜等の半導体加工用保護膜を形成するための塗布液、その調整方法および該塗布液より得られる半導体加工用保護膜に関する。【解決手段】 (a)テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)およびアルコキシシラン(AS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAOH)および水の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、またはテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAOH)および水の存在下で加水分解または部分加水分解した後、アルコキシシラン(AS)またはその加水分解物もしくは部分加水分解物と混合し、さらに必要に応じてこれらの一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物、(b)有機溶媒、および(c)水を含む液状組成物であり、しかも該液状組成物中に含まれる水の量が35〜65重量%の範囲にあることを特徴とする半導体加工用保護膜形成用塗布液。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
高い膜強度と低い比誘電率を有する半導体加工用保護膜を形成するための塗布液であって、 (a)テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)および下記一般式(I)で示されるアルコキシシラン(AS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAOH)および水の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、 XnSi(OR)4-n (I) (式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基もしくはビニル基を表す。また、nは0〜3の整数である。) (b)有機溶媒、および (c)水 を含む液状組成物であり、しかも前記液状組成物中に含まれる水の量が35〜65重量%の範囲にあることを特徴とする半導体加工用保護膜形成用塗布液。
IPC (6件)：
H01L 21/312 ,  C09D 183/02 ,  C09D 183/04 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (6件)：
H01L21/312 C ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/316 G ,  H01L21/90 V ,  H01L21/90 N
Fターム (76件)：
4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038PB09 ,  4J246AA02 ,  4J246AA03 ,  4J246AA18 ,  4J246AA19 ,  4J246AB15 ,  4J246BA16X ,  4J246BA160 ,  4J246BA26X ,  4J246BA260 ,  4J246BA270 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246CA018 ,  4J246CA019 ,  4J246CA048 ,  4J246CA049 ,  4J246CA24X ,  4J246CA248 ,  4J246CA249 ,  4J246CA268 ,  4J246CA269 ,  4J246CA278 ,  4J246CA279 ,  4J246CA348 ,  4J246CA349 ,  4J246FA081 ,  4J246FA131 ,  4J246FA421 ,  4J246FA441 ,  4J246FB271 ,  4J246GA01 ,  4J246GB06 ,  4J246GC02 ,  4J246GC53 ,  4J246GD08 ,  4J246HA63 ,  5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033XX24 ,  5F033XX25 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC05 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)

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