特許
J-GLOBAL ID：200903082055521435
低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法および該方法より得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 政久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-141749
公開番号（公開出願番号）：特開2005-327757
出願日： 2004年05月12日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：
【課題】 比誘電率が3.0以下と小さく、しかもヤング弾性率が10.0 GPa以上で硬度が1.0 GPa 以上からなる被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を形成する方法に関する。【解決手段】 (a)テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)および特定のアルコキシシラン(AS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、またはテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解または部分加水分解した後、前記アルコキシシラン(AS)またはその加水分解物もしくは部分加水分解物と混合し、さらに必要に応じてこれらの一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物を含む液状組成物を調製する工程と、(b)該液状組成物を基板上に塗布する工程と、(c)該基板を80〜350°Cの温度で加熱処理する工程と、(d)該基板上に形成された被膜にエレクトロンビームを照射して該被膜をキュアする工程とを含むことを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
比誘電率が3.0以下で、高い被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に形成する方法であって、
(a)テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)および下記一般式(I)で示されるアルコキシシラン(AS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む液状組成物を調製する工程、
XnSi(OR)4-n (I)
(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基もしくはビニル基を表す。また、nは0〜3の整数である。)
(b)該液状組成物を基板上に塗布する工程、
(c)該基板を80〜350°Cの温度で加熱する工程、および
(d)該基板上に形成された被膜にエレクトロンビームを照射して該被膜をキュアする工程
を含むことを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L21/316
, C01B33/12
, H01L21/312
H01L21/316 G
, C01B33/12 C
, H01L21/312 C
4G072AA25
, 4G072BB09
, 4G072BB13
, 4G072FF06
, 4G072FF09
, 4G072GG03
, 4G072HH30
, 4G072MM01
, 4G072NN30
, 4G072RR01
, 4G072RR12
, 4G072RR13
, 4G072RR30
, 4G072TT30
, 4G072UU30
, 5F058AA02
, 5F058AA05
, 5F058AA08
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AD05
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AG10
, 5F058AH02
, 5F058BA04
, 5F058BA08
, 5F058BA10
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC05
, 5F058BD04
, 5F058BD07
, 5F058BF46
, 5F058BH03
, 5F058BH04
, 5F058BH20
, 5F058BJ02
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (2件)
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