特許
J-GLOBAL ID：200903009208920319
ビームホモジナイザ及びそれを用いた半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-163147
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016851
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 レーザ照射により多結晶半導体薄膜を作製する際に、レーザ照射の痕跡を残しにくいレーザビームを形成可能なビームホモジナイザ、及びそれを用いた半導体薄膜の作製方法を提供する。【解決手段】 xyz直交座標系を考えたとき、複数の第1のシリンドリカルレンズが、各々の光軸をz軸に平行にし、柱面の母線をx軸に平行にし、かつxy平面に平行な仮想平面に沿って配列した第1のシリンダアレイが構成されている。第1のシリンドリカルレンズの各々の球面収差が正である。第1のシリンダアレイを透過した光線束を収束する収束光学系が配置されている。
請求項（抜粋）：
xyz直交座標系を考えたとき、複数の第1のシリンドリカルレンズが、各々の光軸をz軸に平行にし、柱面の母線をx軸に平行にし、かつxy平面に平行な仮想平面に沿って配列し、前記第1のシリンドリカルレンズの各々の球面収差が正になるような第1のシリンダアレイと、前記第1のシリンダアレイを透過した光線束を収束する収束光学系とを有するビームホモジナイザ。
IPC (3件)：
H01L 21/268
, G02B 3/06
, G02B 13/00
H01L 21/268 J
, G02B 3/06
, G02B 13/00
