半導体装置及び製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358651
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158205
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、複数の電界効果トランジスタの特性が同じであることが望ましいトランジスタを用いた電気回路を有する半導体装置において、トランジスタ特性に優れた信頼性の高い半導体装置を提供することである。【解決手段】特性が同じであることが望ましいトランジスタを形成したアクティブに隣接する浅溝素子分離の溝幅を、該トランジスタで同じにすることにより、隣接する浅溝素子分離によるアクティブに生じる応力が、該トランジスタどうしで同じになり、同じ特性のトランジスタが得られるという効果がある。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に半導体絶縁層を有するフィールド領域と前記フィールド領域に隣接する複数のアクティブ領域とを有し、第一のアクティブ領域には入力信号に基き出力信号を出力する回路を構成する第一の電界効果トランジスタ及び第二の電界効果トランジスタとを備え、前記第一の電界効果トランジスタの配置された側の前記第一のアクティブ領域にフィールド領域を介して隣接する第二のアクティブ領域と、前記第二の電界効果トランジスタの配置された側の前記第一のアクティブ領域にフィールド領域を介して隣接する第三のアクティブ領域と、第四のアクティブ領域と前記四のアクティブ領域にフィールド領域を介して隣接する第五のアクティブ領域と、を備え、前記第一のアクティブ領域と前記第二のアクティブ領域との距離と前記第一のアクティブ領域と前記第三のアクティブ領域との距離の差は、前記第一のアクティブ領域と前記第二のアクティブ領域との距離と前記第四のアクティブ領域と前記第五のアクティブ領域との距離の差よりも小さく形成されてなることを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 , H01L 21/76 , H01L 27/08 331 , H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 27/08 331 A , H01L 27/10 681 G , H01L 21/76 L

Fターム (34件)：

5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032BA02 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032CA20 , 5F032CA23 , 5F048AB01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG01 , 5F048BG03 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083LA03 , 5F083LA12 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083NA08

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-011019 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
半導体メモリ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-092176 出願人：三星電子株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-075926 出願人：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

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