磁気抵抗効果素子およびその形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：三反崎泰司 , 藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-098215
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286340
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】十分に安定した信号検出動作を示す磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 MR素子1は、強磁性フリー層9を含むSySV10を備えた積層体S1に加え、積層体S1の上に分離層11を介して縦バイアス層12を備え、さらに、この縦バイアス層12と接合するように、平行断面において縦バイアス層12よりも大きな面積を有するスティッチト構造S2を備えている。このため、シンセティックピンニング層20および縦バイアス層12と強磁性フリー層9との交換結合によって、強磁性フリー層9に対して安定した交換バイアス磁界を付与することができる。その結果、強磁性フリー層9の単磁区化が十分に促進され、十分に安定した信号検出動作が可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強磁性フリー層が最外層となるように前記強磁性フリー層を含む複数の層が積層されてなる磁気抵抗効果膜と、前記強磁性フリー層の表面と接するように設けられた分離層と、前記分離層における前記磁気抵抗効果膜と反対側の面と接するように設けられ、かつ、前記磁気抵抗効果膜の積層面と平行な面内に含まれる縦方向に磁化された縦バイアス層と、この縦バイアス層における前記分離層と反対側の面と接合されるスティッチト構造とを備え、前記スティッチト構造は、前記縦バイアス層のピンニングを行う3層構造のシンセティックピンニング層と、第1の反強磁性ピンニング層と、導電リード層とを前記縦バイアス層の側から順に有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L43/08 , G01R33/09 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/12

FI (6件)：

H01L43/08 B , H01L43/08 Z , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/12 , G01R33/06 R

Fターム (8件)：

2G017AB07 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5E049AA04 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB12

引用特許：

出願人引用 (15件)

米国特許第6473279号明細書
米国特許第6466419号明細書
米国特許出願公開2003/0053269号明細書

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審査官引用 (11件)

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-236287 出願人：日本電気株式会社
磁気検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-114296 出願人：アルプス電気株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-275417 出願人：株式会社東芝

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