特許
J-GLOBAL ID:200903009563707189
エレクトロルミネッセント素子の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山下 昭彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-223989
公開番号(公開出願番号):特開2003-036971
出願日: 2001年07月25日
公開日(公表日): 2003年02月07日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 フォトリソグラフィー法による利点を有しつつ、複数の発光部を形成する際に生じる発光部の膜厚むらや成膜欠陥等の不具合を回避することができるEL素子の製造方法を提供すること。【解決手段】電極層2が形成された基体1上に第1発光層用塗工液を塗布する工程と、上記第1発光層3上にフォトレジスト4を塗布する工程と、第1発光部が形成される部分のフォトレジスト層が残存するようにパターニングする工程と、上記フォトレジスト層が除去された部分の第1発光層を除去することにより表面にフォトレジスト層4を有する第1発光部3′を形成する工程と、その上に第2発光層用塗工液を塗布して第2発光層7を形成する工程と、上記第1発光部3′上に残存するフォトレジスト層4を、その上に形成された第2発光層7と共に剥離する工程とを有する。
請求項(抜粋):
電極層が形成された基体上に、種類の異なる発光層を複数回にわたりフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、前記基体上に複数種類の発光部を形成するエレクトロルミネッセント素子の製造方法において前記電極層が形成された基体上に第1発光層用塗工液を塗布することにより第1発光層を形成する工程と、前記第1発光層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層をパターン露光した後現像することにより、第1発光部が形成される部分のフォトレジスト層が残存するようにパターニングする工程と、前記フォトレジスト層が除去された部分の第1発光層を除去することにより表面にフォトレジスト層を有する第1発光部を形成する工程と、前記第1発光部とその表面に残存するフォトレジスト層とを有する基体上に第2発光層用塗工液を塗布して第2発光層を形成する工程と、前記第1発光部上に残存するフォトレジスト層を、その上に形成された第2発光層と共に剥離することにより、前記基体上に第1発光部および第2発光部を形成する工程と、を有することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
IPC (4件):
H05B 33/10
, G09F 9/30 365
, H05B 33/12
, H05B 33/14
FI (4件):
H05B 33/10
, G09F 9/30 365 Z
, H05B 33/12 B
, H05B 33/14 A
Fターム (30件):
3K007AB04
, 3K007AB17
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CA01
, 3K007CA05
, 3K007CA06
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 5C094AA03
, 5C094AA05
, 5C094AA08
, 5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094AA55
, 5C094BA12
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094CA24
, 5C094DA13
, 5C094EA04
, 5C094EA05
, 5C094EB02
, 5C094FA01
, 5C094FB01
, 5C094FB20
, 5C094GB10
引用特許:
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