特許
J-GLOBAL ID：200903009600257687
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-017796
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244201
出願日： 2005年01月26日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 微細リソグラフィー技術やドライエッチング技術を用いることなく、光取り出し効率が高く且つ放射パターンが良好な半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 サファイア基板1の上にn型GaN層2、InGaN多重量子井戸活性層3、p型AlGaN電子障壁層4、p型AlGaN/GaN歪超格子層5及びp型GaNコンタクト層6が順次形成されている。p型GaNコンタクト層6の光取り出し部上に開口を持つようにp側オーミック電極7が形成されている。p型GaNコンタクト層6の光取り出し部には、メタノール、フッ酸及び過酸化水素水の混合液を用いたウェットエッチングにより多孔質化領域9が形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
活性層を含む複数の半導体層が積層されてなる半導体発光素子において、前記複数の半導体層のうち前記活性層からの光を取り出すための光取り出し面となる表面を持つ半導体層における少なくとも一部分が多孔質化されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA03
, 5F041AA06
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA88
, 5F041CA99
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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