多結晶シリコンの製造装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-307446
公開番号（公開出願番号）：特開2009-126774
出願日： 2007年11月28日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：

【課題】反応炉以降の配管が反応炉からの排ガス中のシリコン粉末やポリマー化合物によって閉塞する現象を抑制し、オーバーホールの周期を長くして生産性を高める。【解決手段】反応炉内で複数のシリコン芯棒を加熱し、その表面に原料ガスの反応により多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造装置において、反応炉の底部に、反応後の排ガスを排出するガス排出口7が設けられるとともに、該ガス排出口7から外部に通じる排ガス管21が接続され、該排ガス管21内に、ガス排出口7から排ガス管21に至る内周面を覆うスリーブ22が抜き差し可能に設けられている。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

反応炉内で複数のシリコン芯棒を加熱し、その表面に原料ガスの反応により多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造装置において、前記反応炉の底部に、反応後の排ガスを排出するガス排出口が設けられるとともに、該ガス排出口から外部に通じる排ガス管が接続され、該排ガス管内に、前記ガス排出口から排ガス管に至る内周面を覆うスリーブが抜き差し可能に設けられていることを特徴とする多結晶シリコンの製造装置。

IPC (1件)：

C01B 33/02

FI (1件)：

C01B33/02 E

Fターム (14件)：

4G072AA01 , 4G072BB03 , 4G072BB12 , 4G072GG04 , 4G072GG05 , 4G072HH07 , 4G072JJ01 , 4G072LL01 , 4G072MM01 , 4G072NN14 , 4G072NN16 , 4G072NN17 , 4G072RR01 , 4G072RR11

引用特許：

出願人引用 (3件)

多結晶シリコン還元炉及び多結晶シリコンロッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-021144 出願人：三菱マテリアル株式会社
特許2001-278611号公報
特許2867306号公報

審査官引用 (7件)

多結晶シリコン鋳造用部材
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-092562 出願人：イビデン株式会社
細線状シリコン製造用坩堝および細線状シリコン
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-326039 出願人：信越化学工業株式会社
特開平1-208312

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