特許
J-GLOBAL ID：200903009844052602
計測システム
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-037381
公開番号（公開出願番号）：特開2006-234808
出願日： 2006年02月15日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】走査型顕微鏡で得られる画像からパターンのエッジ形状を抽出し、その抽出情報からデバイスの電気的性能を予測し、パターンを検査するパターン検査方法を提供する。【解決手段】走査型顕微鏡の制御部1611及び検査用コンピュータ1612において、反射電子又は二次電子1609の強度分布を処理し、エッジ位置のデータから単一ゲート内のゲート長の分布を求め、最終的に作成されるトランジスタを様々なゲート長を持つ複数個のトランジスタの並列接続とみなしてトランジスタ性能を予測し、その予測結果を基にパターンの良否や等級を判定することにより、エッジラフネスのデバイス性能への影響を高精度かつ迅速に予測することができ、デバイス仕様に応じて高精度かつ効率的にパターン検査を行うことができる。【選択図】図16
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたラインパターンの検査領域が1μm以上の場合は前記検査領域の0.5倍以上を計測領域とし、前記検査領域が0.5μm以下の場合は前記検査領域を計測領域として計測領域を決定する工程と、
荷電粒子線を利用した走査型顕微鏡を用いて、前記ラインパターンを観察することにより得られる反射電子強度又は二次電子強度の二次元分布情報を基に、前記ラインパターンのエッジの位置又はライン幅を前記計測領域内において複数箇所計測する工程と、
前記エッジの位置又は前記ライン幅の計測結果から、前記検査領域における前記ラインパターンの前記エッジの凹凸、前記ライン幅又は前記ライン幅の変動を算出する工程とを有することを特徴とするパターン検査方法。
IPC (4件)：
G01B 15/04
, H01L 21/66
, H01J 37/22
, G01N 21/956
G01B15/04 K
, H01L21/66 J
, H01J37/22 502H
, G01N21/956 A
2F067AA03
, 2F067AA13
, 2F067AA16
, 2F067AA26
, 2F067AA45
, 2F067AA54
, 2F067BB04
, 2F067CC15
, 2F067CC17
, 2F067HH06
, 2F067HH13
, 2F067JJ05
, 2F067KK04
, 2F067KK08
, 2F067PP12
, 2F067QQ12
, 2F067RR14
, 2F067RR29
, 2F067RR31
, 2F067RR35
, 2F067RR41
, 2F067SS04
, 2G051AA51
, 2G051AB02
, 2G051AC30
, 2G051ED04
, 2G051ED08
, 4M106AA01
, 4M106AB02
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB05
, 4M106DB18
, 4M106DJ19
, 4M106DJ20
出願人引用 (3件)
審査官引用 (7件)
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