半導体層構造のMBE成長

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-530559
公開番号（公開出願番号）：特表2005-536882
出願日： 2003年08月18日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：

半導体層構造のMBE成長法は、窒素前駆体としてアンモニアを用いて、第1の基板温度(T1)で第1の(Al、Ga)N層を基板上に成長させるステップ(ステップ13)を成長させるステップを包含する。この基板は、その後、第1の基板温度よりも低い第2の基板温度(T2)に冷却される(ステップ14)。その後、窒素前駆体としてアンモニアを用いるMBEによって第1の(Al、Ga)N層上に(In、Ga)N量子井戸構造を成長させる(ステップ15)。基板へのアンモニアの供給は、第1の成長ステップ、冷却ステップ、および第2の成長ステップの間、継続的に維持される。(In、Ga)N量子井戸構造の成長の完了後、基板は、第2の基板温度(T2)よりも高い第3の温度(T3)に加熱され得る。その後、In、Ga)N量子井戸構造上に第2の(Al、Ga)N層を成長させる(ステップ17)。

請求項（抜粋）：

半導体層構造を成長させる方法であって、前記方法は、窒素前駆体としてアンモニアを用いるMBEによって、第1の基板温度で基板上に第1の(Al、Ga)N層を成長させるステップと、前記基板への前記アンモニアの供給を維持しながら、前記基板を前記第1の基板温度よりも低い第2の基板温度に冷却するステップと、前記窒素前駆体としてアンモニアを用いるMBEによって、前記第1の(Al、Ga)N層上に(In、Ga)N量子井戸構造を成長させるステップと、前記基板への前記アンモニアの供給を維持しながら、前記基板を前記第2の基板温度よりも高い第3の基板温度に加熱するステップと、前記窒素前駆体としてアンモニアを用いるMBEによって、前記第3の基板温度で前記量子井戸構造上に第2の(Al、Ga)N層を成長させるステップとを包含する、方法。

IPC (2件)：

H01L21/203 , H01L33/00

FI (2件)：

H01L21/203 M , H01L33/00 C

Fターム (10件)：

5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA66 , 5F103AA04 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103LL02 , 5F103LL03 , 5F103NN01 , 5F103NN05

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-276829 出願人：株式会社東芝
GaN系高移動度トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-385219 出願人：古河電気工業株式会社
半導体層の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-175664 出願人：シャープ株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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